碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块 1200V，半桥，介绍

1、（NVVR26A120M1WST）功率模块是用于混合动力车（HEV）和电动车（EV）主驱逆变器应用的VE-TracTM系列功率模块的一部分，该模块平台在一个半桥架构中集成了安森美的所有SiC MOSFET技术。裸片连接采用烧结技术，提高了能效、功率密度和可靠性。该模块符合AQG 324汽车功率模块标准。B2 SiC模块结合烧结技术用于裸片连接和铜夹，压铸模工艺用于实现强固的封装。其SiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术，从而提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，在EV主驱应用中带来领先同类的性能。

2、（NVVR26A120M1WSS）属于EliteSiC功率模块系列，适用于混动（HEV）汽车主驱逆变器应用。这款模块由两个半桥配置的1200V SiC MOSFET组成。EliteSiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术，提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，为电动汽车主驱应用带来业界领先的性能。

3、（NVVR26A120M1WSB）是用于混合动力（HEV）和电动汽车（EV）牵引逆变器应用的碳化硅（SiC）功率模块系列的一部分。该模块由两个采用半桥配置的1200V SiC MOSFET组成。SiC芯片组采用Onsemi的M1 SiC技术，提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度，在电动汽车牵引应用中提供一流的性能。

用于汽车主驱逆变器的NVVR26A120M1WST、NVVR26A120M1WSS、NVVR26A120M1WSB 1200V、碳化硅（SiC）模块 —— 明佳达

封装

特点

半桥单侧散热
超低的杂散电感
超低Rds_on
连续工作Tj_max = 175°C
车规级EliteSiC MOSFET芯片技术
裸芯烧结工艺

应用

• 汽车主驱逆变器

终端产品

• 用于纯电动汽车、插电混动汽车和强混动汽车的主驱逆变器

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