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ASEMI低压MOS管SI2301参数：

型号：SI2301

漏极-源极电压（VDS）：20V

栅源电压（VGS）：8V

漏极电流（ID）：2.3A

功耗（PD）：1.25W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.2V

输入电容（Ciss）：880pF

开启上升时间（tr）：10nS

 

SI2301封装体积：

封装：SOT-23

总长度：2.95mm

本体长度：1.7mm

宽度：3.1mm

高度：0.5mm

脚间距：1.9mm

 

SI2301特征：

用于极低RDS（ON）的高密度电池设计

坚固可靠

外壳材料：模压塑料