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专栏 《深入理解NAND Flash》

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1. 回首

漠然回首，从事存储芯片行业已多年，这些年宝贵的青春都献给了闪存。

我刚入行的时候，也是萌新一个，彷佛大学学的都没有和这相关的，一切都 Reset 归零了。这不怪大学教育，是整个国情如此，我们缺少半导体的摇篮，所以才会被卡脖子。

专栏初衷？

看过周星驰电影《功夫》应该都熟悉这段台词。

写这个专栏的初衷便是，对于多年的所学进行总结复盘。曾经青丝飘逸，现今发际飘去，以此栏致敬我的青春。也希望它能带少年们入门存储的殿堂，走过我做走过的路，避开我填过的坑。

我吹过你吹过的风

这算不算相拥

我走过你走过的路

这算不算相逢

2. 闪存类别
   我们先从下图看下闪存芯片分类吧， 从材质到产品五花八门，种类繁多， 怎么从众多门类中提取出共性与差异，对于我们入门闪存事半功倍。
   

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本专栏专注于NAND Flash 的特性和实践。

3. 闪存学习路线
   

NAND 闪存发明，才有了我们现如今用的智能手机的高速大容量内存(eMMC、UFS)的顺滑体验，以及电脑固态硬盘（SSD）的流畅。NAND闪存这项发明已经彻底改变了我们的生活、工作和娱乐方式。

闪存介质分为NOR FALSH 和 NAND FALSH。Intel于1988年开发出NOR Flash 技术，改变了原先由EPROM(电可编程序只读存储器)一统天下的局面。1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构

在每个闪存芯片中都有海量的存储单元。闪存记录数据的关键在于浮栅层，当其中被充满电子时是已编程（写入）状态，代表二进制0；当其中没有电子时是已擦除状态，代表二进制1。通过施加特定的电压， 可以根据导通状态，知晓里面是否有电子。并可以通过储存电荷和释放电荷， 来实现写、读、擦工作原理。

3.2 学习侧重点：

了解

了解闪存历史
了解闪存产品
了解闪存工作原理
闪存失效模式分析
控制器基本知识
掌握

闪存组织架构
不同生产工艺闪存的特点：延迟、寿命、误码、读写方式
指令集， 不止会用到基本读写擦， 还要学会各种并行操作， 如：
顺序页之间 Cache Program/Read
多Plane 并行写、并行读
多CE interleave 并行写、并行读
多通道并行写、并行读
闪存特性以及应用管理机制
因为作者知识有限，如有遗漏或错误， 请大家给我留言，我会查缺补漏，持续完善。

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参考