一、存取周期回顾

DRAM的电容结构决定了DRAM的破坏性读出，因此DRAM需要在存取过程中不断的恢复刷新才能使数据不丢失。

由此引发了两个问题，多核CPU的每个核都要访存怎么办？以及如何解决恢复时间长的问题？

二、双端口RAM 

双端口RAM技术支持双核CPU同时访问一根内存条，当然有些操作是可以进行，有些则不能，如上图中列举的3，4会发生错误，这种情况要分先后执行操作，即将一个端口延时。 

三、多体结构主存储器

多体并行存储器，如上图所示，有四个存储体，每个存储体各自的地址应该是连续的，那么如果把它们合在一起，它们的地址可以列优先的依次增加，也可以行优先的依次增加。而这也就是高位交叉编址和低位交叉编址，本质区别就是在编码中是用高2位的二进制数表示第几个存储体还是用低位的2位二进制数表示第几个存储体。

低位交叉编址的好处就是我们顺序访问内存的时候，在访问下一个地址的时候不需要等待恢复刷新，因为下个地址在下一个存储体当中，而访问下一个存储体的时候，上个存储体的刷新不影响当前访问的地址。上图中的耗时计算说明了这个问题。

存储体的数量应该≥ T/r，T是存取周期，r是存取时间。原因如上图所示，如果小于T/r，会导致CPU仍然被存储体的恢复时间拖累。而如果大于的话会导致存储体有闲置时间，这个时间被浪费了。因此其实我们应该尽可能保证存储体的数量 = T/r。

至于通过地址判断属于第几个存储体，二进制直接看低位两位即可，十进制则对x取模即可。

多体并行和单体多字

我们上面提到的多体结构是多体并行，各个存储体直接是相互独立的，可以选择从哪个存储体读出哪一个字，灵活性较高。

而与之相对的就是单体多字存储器，就是把四个存储体合并，整个存储器只有一套读写电路，地址存器，数据寄存器。每次可读出m个字，每个存储单元存储m个字，总线宽度也要随之提升。灵活性较差，不能单独读某个字，只能读某一行（可能会读入冗余信息）。

但两种方案的时间平均来看，平均读取一个字的时间是一样的。