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文章目录
- 前言
- 1. SDR 与 DDR
- 2. DDR5 的新特点
- 总结
前言
DDR5 带来更快的处理速度和更大的存储空间，为云计算、大数据等领域的发展提供了强有力的支持。
1. SDR 与 DDR
single data rate， 1 个时钟周期做一次数据传输
double data rate，1个时钟周期做两次数据传输。
下图是SDR和DDR的示意：
图片来源： 知乎
2. DDR5 的新特点
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容量巨大
DDR5颗粒的容量达到了新的高度，支持最大达到128GB，是DDR4的两倍之多。 -
速度飞快
DDR5的速度更上一层楼，相比DDR4范围为2133MT/s ~ 3200MT/s的速度，DDR5的默认最低速度为4800MT/s，最高可达8400MT/s，大幅提升了数据传输效率。 -
工作电压更低
DDR5不仅速度快，同时功耗更低，内存电压进一步下降至1.1V，相对于DDR4的1.2V。
其一： 节省了20%的功耗，具有显著的节能意义；
其二是超频潜能，起始电压的降低，使得后续进行超频调参有了更大的可操作空间，能进一步提升内存的超频潜能。 -
双通道效果卓越
为了进一步提升数据访问速度和降低延迟，DDR5采用了双通道设计。每根内存条被分为两个通道，每个通道拥有40比特的带宽，两个控制器可以同时访问内存的一半，从而实现数据的并发访问，使得数据传输更加高效。
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Bank更多。
DD5的Bank数量更多。DDR4的Bank最多16个，而DDR5的Bank增加到32个。
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Burst Length增加。
DDR5的Burst Length比DDR4的最大值8增加到了16。这个增加极大地提高了数据主线上的效率。 -
自刷新功能改进。
DDR5新增了一个名为“SAME-BANK Refresh”的命令，使得自刷新功能更加灵活。DDR4只能对左右bank进行自刷新，而DDR5允许只刷新每个bank group中的一个bank。 -
温度传感器。
DDR5的RDIMM和LRDIMM上配备了两个温度传感器。当温度超过85摄氏度时，内存的刷新率会自动加倍，以确保数据不会丢失。 -
电源管理芯片（PMIC）。
DDR5的DIMM引入了一个全新的电源管理芯片，称为PMIC。这个芯片对DDR5 DIMM来说非常重要。 -
片内纠错码（ECC）。
DDR5引入了片内的纠错码，简称ECC。
总结
参考文献
- DDR5介绍
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