21---EEPROM电路设计

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EEPROM电路设计

1、存储器的分类

一般根据掉电丢失来划分的存储器。可分为易失性存储器和非易失性储存器。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。

1.1、易失性存储器-RAM

RAM(（Random Access Memory）随机读取存储器)：通常RAM就是意识形态存取器的代表，它包含DRAM（动态随机存储器）和SRAM（静态随机存储器）。

1.1.1 SRAM（静态随机存储器）

SRAM 是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。"静态"是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。

1.1.2 DRAM（动态随机存储器）

保存数据靠电容充电来维持。容量比较大的RAM我们都选用的是DRAM。像SDRAM，DDR SDRAM都属于DRAM的一种。

1.1.2.1、SDRAM(同步动态随机存储器)：

RAM既然是存储器，那么就要传输数据，传输数据就是通信。通信又分同步通信和异步通信。DRAM和SRAM都是异步通信的，速率没有SDRAM和SSRAM快。所以现在大容量RAM存储器是选用SDRAM的。S(Synchronous同步)

1.1.2.2、DDR SDRAM(双倍速率同步动态随机存储器)：

DDR SDRAM和SDRAM的区别在于DDR（double data rate）双倍速率。SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。DDR也一步步经过改良出现了一代、二代、三代、四代，现在也有五代。

1.2、非易失性存储器-ROM

ROM: （Read Only Memory）只读存储器, 具有断电后数据不丢失的特点。非易失性存储器常见的有ROM，FLASH，光盘，软盘，机械硬盘。他们作用相同，只是实现工艺不一样。

1.2.1、ROM(只读存储器)

在以前就是只读存储器，就是说这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。实际是以前向存储器写数据不容易，所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改。现在技术成熟了，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。ROM分为MASK ROM、OTPROM、EPROM、EEPROM。

1.2.1.1、MASK ROM(掩膜ROM)

是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。

1.2.1.2、OTPROM(一次可编程存储器)

OTPROM提供了介于MASK ROM和FLASH存储器之间的产品特性，出厂后用户只能写一次数据，然后再也不能修改了，一般做存储密钥。

1.2.1.3、EPROM(可擦除可编程只读存储器)

这种存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。

EPROM: Erasable Programmable Read Only Memory可擦除可编程只读存储器。是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片--即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。

1.2.1.4、EEPROM(带电可擦可编程只读存储器)

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。正是因为只要有电就可擦除数据，就可以写入数据，所以EEPROM用的最多。

1.2.2、FLASH(闪存)：Nor flash和Nand flash。

Flash:是一种可以写入和读取的存储器，叫闪存，FLASH也叫FLASH ROM，有人把FLASH当做ROM。FLASH和EEPROM相比，FLASH的存储容量大。FLASH的速度比现在的机械硬盘速度快，现在的U盘和SSD固态硬盘都是Nand flash。FLASH又分为Norflash和Nandflash。