IGBT是一种三端子的半导体开关器件，栅极，集电极和发射极。它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型三极管的低导通压降特性，广泛应用于变频器、电动汽车、电力传输等领域。
工作原理
IGBT由N沟道MOSFET和PNP双极型晶体管组成，其导通和关断状态通过控制栅极电压来实现。
在正向栅极电压作用下，MOSFET形成沟道，使得P+基极和N-层之间的电流能够流动，从而为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。
当栅极电压为零或反向时，沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。
主要参数
集电极-发射极额定电压（UCES）：IGBT在截止状态下，集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
栅极-发射极额定电压（UGE）：IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压。通常为20V左右，超过这个值可能会损坏IGBT。
集电极额定电流（IC）：在饱和导通状态下，IGBT允许持续通过的最大电流。超过这个电流可能会导致器件过热甚至损坏。
集电极-发射极饱和电压（UCE）：IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。这个值越小，表示器件的功率损耗越小。
开关频率：IGBT的开关频率是指其能够进行开通和关断操作的频率。高开关频率意味着器件可以更快地响应控制信号，但同时也会导致更高的开关损耗。
作用
IGBT的主要作用是作为电力电子系统中的开关，用于控制电流的流动。它能够在高压和大电流条件下工作，同时具有较快的开关速度和较低的导通压降。这使得IGBT在以下领域中发挥着关键作用：
变频器：IGBT用于将直流电源转换为可调频率的交流电源，广泛应用于电动机驱动和电源调节。
电动汽车：在电动汽车中，IGBT用于控制电动机的驱动系统，以及充电桩的电源转换。
电力传输和分配：IGBT用于高压直流传输系统，以及在电力分配中的电压调节。
家用电器：如空调、洗衣机等，IGBT用于控制电机的速度和方向，提高能效和性能。
工业控制：在自动化和过程控制中，IGBT用于驱动各种类型的执行器和马达。
总结
IGBT作为一种高效、可靠的功率半导体器件，在现代电力电子领域扮演着不可或缺的角色。它的高输入阻抗、低导通压降和较快的开关速度使其成为许多应用中理想的选择。随着技术的不断进步，IGBT的性能也在不断提升，为未来的电力电子应用开辟了新的可能性。
