五、先进光刻与刻蚀结构扩展
5.21 计算光刻专用硬件加速结构
组件类别 | 组件名称 | 关键规格参数 | 工艺/设备 | 工作原理 | 性能指标 | 功能描述 | 技术挑战 | 技术规则 | 材料要求 | 精度要求 | 制造挑战 | 性能影响 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
光刻仿真专用集成电路 | 光学邻近效应修正处理单元 | 计算精度<0.1nm， 处理能力>10P OPC cell/s | 定制化专用集成电路设计， 7nm/5nm工艺制造 | 将光刻仿真核心算法（如卷积， 快速傅里叶变换）固化于硬件， 实现超高能效比并行计算 | 能效比>100 TOPs/W， 为通用图形处理单元的10倍 | 加速全芯片光学邻近效应修正和逆光刻技术中耗时的光强计算 |