南亚NT5AD512M16A4-HRI:8Gb DDR4工业级内存颗粒技术规格

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南亚NT5AD512M16A4-HRI:8Gb DDR4工业级内存颗粒技术规格

NT5AD512M16A4-HRI:南亚8Gb工业级DDR4 SDRAM深度解析

在工业自动化、户外通信及汽车电子等需要宽温工作的应用中,DDR4 SDRAM凭借其成熟的生态和较高的带宽,已成为系统设计中的关键存储组件。NT5AD512M16A4-HRI是南亚科技推出的一款8Gb DDR4 SDRAM,其工业级温度范围和DDR4-2666速率组合,使其在需要宽温运行和可靠数据吞吐的场景中定位明确。

NT5AD512M16A4-HRI是南亚科技(Nanya Technology)推出的一款8Gb DDR4 SDRAM内存颗粒,采用96-ball TFBGA封装,集成了512M×16的组织结构、DDR4-2666数据速率和1.2V工作电压,支持-40°C至95°C的工业级温度范围。

一、产品定位与概述

NT5AD512M16A4-HRI隶属于南亚科技DDR4 8Gb SDRAM产品线,属于该系列中的工业级温度版本。与前代标准电压DDR3产品不同,该器件基于DDR4架构,电压更低,同时支持更宽的工作温度范围。

产品属性规格说明
制造商Nanya(南亚科技)全球DRAM主要供应商之一
产品类别DDR4 SDRAM第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器
存储容量8Gb(1GB)8Gbit密度
组织结构512M × 16位512M个地址 × 16位数据宽度
数据速率2666Mbps(DDR4-2666)最高时钟速率2666MHz
工作电压1.2V标准DDR4电压
封装类型TFBGA-9696-ball细间距球栅阵列
温度范围-40°C ~ +95°C工业级温度范围
产品状态Obsolete(停产)需注意停产物料风险

二、核心特性解析

2.1 DDR4-2666数据速率

参数规格说明
最高时钟速率2666MHzDDR4-2666速度等级
数据传输速率2666 Mbps每引脚数据速率
时序参数19-19-19CL-tRCD-tRP典型值
单芯片带宽约5.3GB/s理论峰值带宽
工作电流407mA满载工作电流

该器件支持DDR4-2666速度等级,对应19-19-19的时序参数,在南亚DDR4 A-Die产品线中属于主流速率配置。

2.2 工业级温度范围

温度参数规格说明
最低工作温度-40°C工业级低温要求
最高工作温度+95°C扩展温度上限
供应商温度等级Industrial(工业级)南亚官方分类

-40°C至95°C的宽温范围是该器件区别于标准商业级DDR4产品的核心特征。南亚官网将该器件归类为“Commercial and Industrial DDR4 8Gb SDRAM”,表明其设计目标覆盖商业级和工业级两类应用场景。

2.3 DDR4核心架构

特性规格说明
内部Bank数量8个支持Bank交错操作
每Bank字数64M字512M总地址 ÷ 8 Banks
地址总线宽度18位行/列地址复用
封装TFBGA-9696-ball,13×7.5mm

8个内部Bank的设计相比早期DDR4产品增加了Bank数量,能够支持更高的并发访问效率。地址总线宽度为18位,配合Bank地址实现完整的512M寻址。

三、总结

NT5AD512M16A4-HRI作为南亚科技DDR4 8Gb SDRAM产品线中的工业级型号,在TFBGA-96封装内实现了8Gb存储容量、512M×16组织结构、DDR4-2666数据速率和1.2V工作电压的资源组合,其核心价值在于-40°C至95°C的工业级温度范围,能够适应工业现场、户外通信、车载电子等对宽温有要求的应用场景。

NT5AD512M16A4-HRI | Nanya | 南亚科技 | DDR4 SDRAM | 8Gb | 512M×16 | 2666Mbps | DDR4-2666 | TFBGA-96 | 1.2V | 1GB | -40°C~95°C | 工业级 | 8 Banks | 工业控制 | 通信设备 | 嵌入式系统 | 内存颗粒 | 无铅/RoHS | Obsolete

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