适配段位：2–5年 | 独立负责模块研发/工艺 | 可独立攻坚问题 | 可输出标准与量化成果 | 介于初级执行&组长带队之间

1. 底层理论与专业储备

具备系统的半导体黄光工艺与涂胶显影设备底层理论体系，精通8/12英寸晶圆光刻全流程机理，熟练掌握光刻胶感光、溶剂挥发、热固化、显影化学反应、图形成型与缺陷生成核心原理。深度理解Track设备膜厚均匀性、CDU线宽均匀性、Overlay套刻精度、温场一致性、流体喷淋稳定性、传输对位精度的底层影响因子。熟练区分正胶/负胶、厚胶/薄胶、通用光刻胶与特种光刻胶的工艺适配逻辑，掌握不同基底、不同制程、不同曝光工艺对应的涂胶显影工艺窗口差异。具备成熟的良率、缺陷、工艺偏差根因分析理论基础，能够从机理层面定位工艺异常与设备短板，支撑技术优化与方案迭代。

2. 实操技术栈与工具掌握能力

熟练独立负责Track核心模块（涂胶/显影/热板/传输温控/液路供胶）整机调试、参数迭代与工艺开发，可独立完成整机Recipe搭建、参数区间标定、工艺窗口验证与稳定性复测。熟练使用膜厚仪、CD量测机、金相显微镜、缺陷检测设备、颗粒分析仪完成全维度量测与数