1. 评估板开箱与核心功能初探

刚拿到TPS65735EVM-703评估板的时候，第一感觉是德州仪器（TI）的做工确实扎实。这块板子不大，但麻雀虽小五脏俱全，它围绕TPS65735这颗单芯片电源管理单元（PMU）搭建，目的就是让你能快速上手，把芯片手册里那些抽象的参数和波形，变成示波器上看得见、摸得着的真实信号。TPS65735这颗芯片的定位非常明确，就是为主动快门式3D眼镜这类需要高压驱动液晶镜片、同时又对体积和功耗极其敏感的设备量身定做的。它把电池充电管理（带Power Path）、一个低压差线性稳压器（LDO）、一个升压转换器（Boost）和两个完整的H桥驱动器，全部塞进了一个QFN-32的小封装里。这种高度集成，对于终端产品设计来说，意味着外围电路可以极大简化，BOM成本和生产复杂度都能降下来。

评估板的价值，就在于它把这个“一体化供电与驱动方案”做成了一个实体化的参考设计。你不需要自己从头画原理图、纠结布局布线，TI的工程师已经帮你把最优的电路和PCB布局验证好了。板上密密麻麻的测试点、跳线帽和接插件，都是为了方便你进行各种测量和配置实验。比如，你想知道升压转换器在电池电压跌到3.2V时输出纹波有多大？或者想验证H桥驱动两个镜片时的时序和电压摆幅是否满足要求？这块板子就是为你准备的“实验台”。对于电源工程师、显示驱动工程师，或者任何需要为小型化设备设计紧凑型电源和电机/负载驱动方案的朋友来说，深入吃透这块评估板，就相当于掌握了TPS65735这颗芯片的“最佳实践”，能让你在自己的项目中少走很多弯路。

2. 板载资源详解与接口定义

评估板上的每一个接口、跳线和元件都不是随意摆放的，理解它们的功能是进行有效测试的第一步。我们可以把板子上的资源分为几大类：电源输入输出接口、控制信号接口、负载连接接口以及配置跳线。

2.1 电源与接地接口

电源输入主要看J1到J5这几个接插件。J1（VIN）和J2（GND）是一组，用于连接外部5V适配器或USB电源，这是给芯片的充电器电路供电的。J3（BAT）和J4（GND）是另一组，这里需要特别注意：J3不仅是电池的正极连接点，在测试时，我们通常会用一台可编程电源模拟电池，并且这台电源需要具备吸电流（Sink）能力。这是因为当外部VIN供电存在时，芯片内部的Power Path管理电路可能会通过BAT引脚向电池充电，如果模拟电池的电源不能吸收电流，电压就会被拉高，导致测试异常。J5则是一组额外的接地端子，方便你在不同位置接入示波器探头的地线，避免地线环路引入噪声。

输出方面，J8（BST_OUT）是升压转换器的输出，默认设计在10V，通过反馈电阻R1和R2可以调节（公式是 Vbst_out = 0.6V * (1 + R1/R2) ）。J10则提供了LDO的输出（VLDO）及其对应的地。LDO的输出电压可以通过JP2跳线选择2.2V或3.0V，这对应着为系统微控制器或其他低功耗逻辑电路供电的两种常见电压。

2.2 负载连接与H桥接口

这块板子的核心驱动功能体现在J6和J7上。J6（LP， LN）对应左眼镜片的驱动输出LCLP和LCLN，J7（RP， RN）对应右眼镜片的LCRP和LCRN。在实际的3D眼镜中，这里就应该连接液晶镜片的两极。H桥的输入控制信号则汇集在J14这个4针排针上，分别是HBL1、HBL2、HBR1、HBR2。通过给这四个引脚施加高低电平，就能控制左右两个H桥的输出状态，从而让镜片在“透光”和“遮光”之间切换。这种设计让你可以完全脱离主控板，仅用评估板本身和信号发生器，就能完整测试H桥的驱动性能。

2.3 关键配置跳线解析

板上的5个3针跳线（JP1-JP5）是控制芯片工作模式的关键，理解它们的设置至关重要：

• JP1 (SW_SEL)：选择开关类型。短接2-3脚（S1位置），启用板载的轻触开关S1，按下时SWITCH引脚接地，松开时内部上拉到SYS电压，实现按键开关机。短接1-2脚（JP11位置），则用于连接外部滑动开关，将SWITCH脚接到SYS（高）保持开启，接到地（低）关闭。
• JP2 (VLDO_SET)：设置LDO输出电压。短接2-3脚，VLDO输出3.0V；短接1-2脚，输出2.2V。这个电压会同时作为芯片内部部分逻辑和H桥输入信号的参考高电平。
• JP3 (CHG_EN)：充电使能。短接2-3脚（ON），启用电池充电器；短接1-2脚（OFF），禁用充电器。在仅测试电池供电场景时，可以禁用充电以简化分析。
• JP4 (SLEEP)：睡眠模式控制。短接2-3脚（HIGH），芯片正常工作；短接1-2脚（LOW），芯片进入低功耗睡眠模式。在评估静态功耗时使用。
• JP5 (BST_EN)：升压转换器使能。短接2-3脚（ON），启用Boost；短接1-2脚（OFF），关闭Boost。在只需要测试LDO和H桥功能时，可以关闭升压以降低功耗。

2.4 特殊功能接口

J11、J12、J13和TP1、TP2这些接口提供了更深入的调试能力。J11配合JP1，用于连接外部开关。J12（TS）用于连接外部NTC热敏电阻实现温度监控，如果不用则悬空。J13（COMP）输出一个与电池电压相关的信号（Vcomp = 0.5 * VLDO + 300mV），可以连接到微控制器的ADC引脚，用于监测电池电量。TP1是一个稳定性测试点，当把R5换成50Ω电阻时，可以从此处注入交流小信号，测量升压转换器的环路频率响应，这是评估电源稳定性的高级手段。TP2则预留给一个齐纳二极管D2（未焊接），用于实现特殊的按键时序逻辑，属于更定制化的应用。

实操心得：在首次上电前，务必根据你的测试目标，规划好所有跳线的状态。一个常见的错误是JP1设置不对导致无法开机。如果你打算用板载按键S1开机，务必确认JP1的跳线帽在2-3位置（S1）。如果跳线在1-2位置，你按S1是没反应的，需要短接J11的2脚（SWITCH）到3脚（SYS）才能开启。

3. 上电前检查与基础功能验证流程

在把任何电源线接到评估板之前，一套完整的检查流程能避免冒烟的风险。首先，对照原理图和物料清单（BOM），目视检查板子有无明显的焊接缺陷、短路或元件损坏。特别是TPS65735芯片（U1）的焊接，QFN封装引脚在底部，需要检查四周焊锡是否均匀。然后，用万用表的二极管档或电阻档，快速测量几个关键点：VIN（J1）对GND、BAT（J3）对GND、BST_OUT（J8）对GND、VLDO（J10-2）对GND，看看有没有直接的短路（电阻接近0欧姆）。接着，按照你计划的工作模式设置好所有跳线帽。

3.1 基础配置与上电步骤

我们以一个典型的双电源测试场景为例：使用外部5V适配器通过VIN供电，同时用一台可编程电源模拟3.6V锂电池通过BAT供电。

1. 跳线设置：将JP3（CHG_EN）设置为OFF（1-2短接），先禁用充电；JP4（SLEEP）设置为HIGH（2-3短接），退出睡眠；JP5（BST_EN）设置为OFF（1-2短接），先关闭升压；JP2（VLDO_SET）先设置为3.0V（2-3短接）；JP1设置为使用S1（2-3短接）。
2. 电源连接：将第一台电源（5V）的正负极分别接到J1和J2。将第二台可编程电源（3.6V，确保具备Sink能力）的正负极分别接到J3和J4。至关重要的一步：在连接评估板之前，先将两台电源的输出电压设置好，然后关闭电源输出，再进行物理连接。
3. 首次上电与LDO测试：先打开5V的VIN电源。此时，因为BST_EN是OFF，升压部分不工作；CHG_EN是OFF，充电器不工作。你应该能用万用表在J10上测量到大约3.0V的VLDO电压（允许±100mV误差）。这说明芯片的LDO和基础供电是正常的。然后，将JP2跳线改为2.2V（1-2短接），再次测量VLDO，电压应变为约2.2V。这个测试验证了LDO的基本功能和电压选择逻辑。
4. 启用升压转换器：保持VIN供电，将JP5跳线改为ON（2-3短接），启用升压转换器。此时测量BST_OUT（J8）对地电压，应该仍然接近0V，因为芯片尚未完全启动。按下板上的S1按键，你会听到电感L1可能发出轻微的高频声音（如果耳朵凑近），同时用万用表测量BST_OUT，电压应迅速上升到约10V（±1V误差）。这说明升压转换器启动正常，反馈网络（R1， R2）工作正确。
5. H桥基础逻辑测试：这是验证驱动部分的关键。我们需要用杜邦线手动控制H桥输入。首先，准备四根线，将VLDO（J10-2）和GND（例如J10-1）引出来作为逻辑高和低电平。
   • 测试左桥（HBL）：用线将J14的HBL1（Pin1）连接到VLDO，HBL2（Pin2）连接到GND。此时用万用表测量J6的LCLP（Pin1）对地电压，应约为10V（即BST_OUT电压），而LCLN（Pin2）对地电压应接近0V。这模拟了左镜片正向加压的状态。
   • 然后，交换连接：HBL1接GND，HBL2接VLDO。再次测量J6，此时LCLP应接近0V，而LCLN应约为10V。这模拟了左镜片反向加压的状态。
   • 测试右桥（HBR）：同理，控制J14的HBR1（Pin3）和HBR2（Pin4），重复上述步骤，在J7（LCRP， LCRN）上应观察到相同的10V/0V切换现象。 这个测试验证了从逻辑输入到高压输出的整个H桥通路是完好的，芯片内部的电平移位和驱动电路工作正常。
6. 启用电池路径：最后，打开模拟电池的3.6V电源。此时，因为CHG_EN是OFF，所以不会有充电电流。你可以观察到板上的红色LED（D1）可能不会亮（充电禁用）。将JP3跳线改为ON（2-3短接），启用充电器，LED D1应该点亮，指示正在充电。此时，你可以用万用表电流档串联进BAT供电回路，测量充电电流。充电电流由Riset电阻（原理图中对应R4， 681Ω）设定，公式为 Ichg = Kiset / Riset，其中Kiset是芯片内部常数（典型值约70mV）。计算一下：Ichg ≈ 70mV / 681Ω ≈ 103mA。实际测量值会略有偏差，但应在这个数量级。

注意事项：在整个测试过程中，尤其是连接和断开跳线帽时，建议先关闭电源。虽然TPS65735有各种保护，但热插拔跳线可能导致引脚瞬间短路或产生浪涌，存在风险。另外，测量电压时，万用表表笔要稳，避免滑脱碰到相邻引脚导致短路。

4. 关键波形测试与性能深度分析

基础功能验证通过后，我们就可以接上示波器，深入分析评估板的动态性能了。官方手册里给出了大量的波形图，我们不仅要会复现，更要理解每个波形背后的意义和测试条件。

4.1 电源启动与关断时序分析

启动和关断时序是电源系统可靠性的关键。我们需要同时观察多个通道。以Vin=5V启动为例（对应手册图3）：

• 测试设置：CHG_EN OFF， SLEEP HIGH， BST_EN ON。VIN接5V电源，BAT悬空或不接。示波器探头：CH1接VIN， CH2接BST_OUT， CH3接VLDO， CH4可以接SWITCH引脚或电感L1的开关节点（需小心，避免短路）。
• 触发与现象：设置单次触发，触发源为SWITCH信号（按下S1的下降沿）。按下S1后，你会捕捉到一系列事件：首先，VLDO几乎立即（微秒级）从0V上升到3.0V，这是因为LDO是线性稳压器，响应极快。紧接着，升压转换器开始工作，BST_OUT电压从0V开始上升。其上升斜率（软启动特性）由芯片内部控制，可以观察到它是一个相对平缓的斜坡，而不是垂直上升，这有利于限制浪涌电流。关注BST_OUT达到稳定的时间，以及VLDO在Boost启动瞬间是否有被拉低的毛刺（耦合噪声）。关断时序（图4）则相反，释放S1后，SWITCH变高，芯片开始关机流程，BST_OUT先放电下降，最后VLDO关闭。

4.2 升压转换器性能测试

升压转换器的核心指标包括效率、纹波和负载瞬态响应。

• 输出纹波测量（图2）：这是评估电源纯净度的基础。将示波器探头设置为1:1（或10:1但需在示波器上设置正确衰减比），并使用探头自带的接地弹簧针，绝对不要用长长的鳄鱼夹地线，否则会引入巨大的开关噪声。探头尖接BST_OUT，接地弹簧接最近的GND测试点（如J9）。示波器带宽限制设为20MHz，以滤除高频噪声，看到真实的纹波波形。在Vbat=3.2V， Boost输出带1mA负载的条件下，你应该能看到一个频率与开关频率（通常为几百kHz到1MHz量级）同步的、幅值在几十毫伏以内的三角波或类正弦波纹波。纹波过大可能意味着输出电容（C4， C5）的ESR过高或容量不足。
• 开关节点波形观测（图7， 8）：这个测试有点挑战性，因为开关节点（电感L1连接芯片SW引脚的那一端）是高频、大电压摆幅的点。同样需要使用接地弹簧针，探头带宽设为全带宽。在空载或轻载下，你可以看到标准的PWM波形。关注其上升/下降沿是否陡峭（反映开关管性能），幅值是否在Vbat和BST_OUT之间（反映自举电路工作正常），以及是否有严重的振铃（Ringging）。振铃过多可能意味着PCB布局不佳，开关回路寄生电感过大。
• 负载瞬态响应测试（图9， 10）：这个测试最能体现电源的动态性能。我们需要一个电子负载或一个可以用MOS管快速切换的负载电阻。在Boost输出端（J8）施加一个从0mA到5mA的阶跃负载变化（或反之），同时用两个通道分别测量BST_OUT电压（CH3）和Boost输入电流（CH4，可通过测量采样电阻电压或使用电流探头）。观察输出电压的跌落（或过冲）幅度ΔV和恢复时间。ΔV越小，恢复时间越短，说明电源的环路带宽越宽，相位裕度足够，动态性能越好。手册中的波形展示了芯片在典型条件下的响应情况，你可以对比自己的测试结果。

4.3 LDO负载瞬态响应测试

LDO的测试相对简单，但同样重要（图11， 12）。在VLDO输出端（J10）施加一个从0mA到30mA的负载阶跃。观察VLDO电压的变化。优质的LDO应该有非常小的电压变化和快速的恢复。由于TPS65735的LDO是为微控制器等数字负载供电的，其瞬态响应能力直接影响内核电压的稳定性和系统可靠性。

4.4 H桥驱动波形与交越失真分析

这是评估板区别于普通电源评估板的精华部分（图13， 14）。测试H桥需要一台双通道或四通道函数发生器。

• 测试连接：将函数发生器的两路输出分别接到J14的HBR1和HBR2（测试右桥）。通道1和3设置为互补的方波（相位差180度），频率可以从几十Hz到几百Hz（模拟3D眼镜的切换频率），幅值设置为VLDO电压（如3.0V），偏移设为VLDO/2（如1.5V），使其在0V和VLDO之间摆动。用示波器两个通道分别测量J7的LCRP和LCRN。
• 波形分析：你应该看到LCRP和LCRN是互补的高压（约10V）方波。需要重点关注的是死区时间和交越失真。由于H桥的同侧上下管不能同时导通（否则会短路），芯片内部会插入一个极短的死区时间。在示波器上放大两个输出波形的上升沿和下降沿交汇处，观察是否存在两者同时为高电平的瞬间（即“共态导通”，这是危险的），或者是否存在一个很短的间隔（两者都为低），这就是死区时间。同时，观察输出方波的上升/下降时间是否满足液晶镜片的要求，边沿是否干净，有无过冲。
• 带载测试：更真实的测试是在J7上连接一个模拟负载，比如一个几百pF到几nF的电容（模拟液晶镜片的容性负载），或者一个电阻串联小电感的负载。观察在带载情况下，输出波形的边沿是否变得平滑，电压摆幅是否还能达到满幅。这能评估H桥的驱动能力。

实操心得：测量开关电源纹波和开关节点波形是基本功，也是容易出错的地方。除了使用接地弹簧，另一个技巧是将示波器触发模式设为“正常”或“单次”，触发源设为被测电压，触发电平设在稳态电压的50%处。这样能稳定捕捉到波形，避免屏幕上的波形乱跳。对于H桥测试，如果发现输出方波有严重的振荡，可以在H桥的输出端到地之间并联一个小的RC缓冲电路（如10Ω串联100pF）来阻尼振铃，但这会稍微增加功耗。

5. 热性能评估与布局设计参考

电源芯片的发热直接关系到长期可靠性和效率。TPS65735集成了多个功率模块，在驱动H桥这种瞬时功率较大的负载时，温升是需要关注的。评估板本身就是一个很好的热参考设计。

5.1 热成像测试与解读

手册中的图16和图17提供了芯片在特定工作条件下的热成像图。通常，测试条件会是：Vbat=3.6V， Boost带一定负载（如5mA）， LDO带一定负载（如15mA）， H桥以一定频率和占空比工作。从热像图可以看出芯片表面的温度分布。最热的区域通常是内部的升压转换器开关管和H桥的功率输出级。你需要关注最高温度点是否超过芯片的结温（Tj）规格（通常为125°C或150°C）。环境温度（Ta）加上由功耗（Pd）和热阻（RθJA）产生的温升（ΔT）必须小于Tj。评估板的设计（PCB层数、铜厚、散热过孔）直接影响了RθJA。

5.2 PCB布局设计要点分析

评估板的PCB文件（图18-20）是绝佳的学习资料。对于TPS65735这样的高频开关电源和模拟混合信号芯片，布局至关重要：

1. 功率回路最小化：观察升压转换器部分，输入电容C3、芯片U1的VIN、SW、BST引脚以及电感L1、输出电容C4/C5，构成了一个高频、大电流的开关回路。这个回路的物理面积在PCB上被设计得尽可能小，以减小寄生电感和电磁干扰（EMI）。
2. 接地策略：板子采用了清晰的接地划分。模拟地（特别是LDO反馈、COMP引脚）和功率地（开关回路）在芯片下方通过一个“接地岛”或星型点连接，避免功率地上的噪声串扰到敏感的模拟电路。
3. 散热处理：芯片底部的散热焊盘（Thermal Pad）通过多个过孔连接到PCB内部的大面积接地铜皮上。这些过孔是热量从芯片传导到PCB并散发到空气中的主要路径。评估板上这些过孔的阵列就是最佳实践。
4. 信号走线隔离：H桥的高压输出走线（LCLP， LCLN等）与敏感的模拟信号线（如反馈线）保持了足够的距离，并可能被地线包围屏蔽，以减少耦合干扰。

在实际项目中，如果你的设计需要驱动更大的容性负载或更高频率，可能需要调整输出电容的容值或类型，甚至考虑增加额外的散热铜皮面积。评估板的布局为你提供了一个可靠的起点，你可以基于此进行优化。

6. 常见问题排查与实战技巧

在实际调试中，你可能会遇到各种问题。下面是一些典型故障现象和排查思路，这往往是数据手册里不会写的“实战经验”。

6.1 芯片完全不上电，无任何输出

• 可能原因1：供电错误或短路。首先确认VIN和/或BAT电压是否准确施加，极性是否正确。用万用表测量J1/J3对地电阻，排除板子自身短路。
• 可能原因2：使能信号问题。确认JP1跳线设置是否正确。如果使用S1，JP1必须在2-3位置。测量SWITCH引脚在按下S1时是否被拉低到地。
• 可能原因3：芯片损坏。检查芯片是否有物理损坏，焊接是否良好。测量VLDO_SET、CHG_EN、BST_EN、SLEEP等引脚的电平是否与跳线设置一致。如果所有外部条件都正常，但芯片仍无反应，可能是静电损伤或过压导致损坏。

6.2 LDO输出正常，但升压转换器无输出（BST_OUT为0V）

• 可能原因1：BST_EN未使能。检查JP5跳线是否在ON位置（2-3短接）。
• 可能原因2：电感或输出电容问题。检查电感L1是否虚焊或损坏。检查输出电容C4、C5是否短路。
• 可能原因3：反馈网络异常。检查分压电阻R1和R2的阻值是否正确，焊接是否良好。如果它们开路或短路，反馈电压会异常，导致芯片保护或输出错误。
• 可能原因4：开关节点异常。用示波器测量电感L1靠近芯片SW引脚一端的波形（小心操作）。如果完全没有开关动作，可能是芯片内部Boost电路故障或使能逻辑问题。如果有开关动作但幅度很小，可能是自举电容（通常集成在芯片内或由外部BST引脚电容提供）失效。

6.3 升压输出有电压，但远低于10V或波动很大

• 可能原因1：负载过重或短路。断开所有外部负载（包括H桥连接），单独测量BST_OUT。如果电压恢复正常，说明负载有问题。如果仍不正常，进行下一步。
• 可能原因2：输入电压不足或电流能力不够。确保VIN或BAT电压在规定范围内（如Vbat需在2.5V-6.4V），并且电源能提供足够的电流。升压转换器在带载时，输入电流会大于输出电流。
• 可能原因3：环路不稳定。表现为输出电压有低频振荡（频率远低于开关频率）。这可能是输出电容的ESR不合适，或者布局导致反馈路径引入噪声。可以尝试在反馈电阻R2上并联一个小电容（如10-100pF）来增加相位裕度，但需谨慎，最好参考芯片数据手册的建议。

6.4 H桥输出异常（无高压、只有一边工作、波形失真）

• 可能原因1：逻辑输入电平错误。确认HBL1/HBL2/HBR1/HBR2的输入高电平是否为VLDO（2.2V或3.0V），低电平是否为0V。用示波器查看输入方波是否干净。
• 可能原因2：高压电源（BST_OUT）异常。首先确保BST_OUT电压正常且稳定。
• 可能原因3：输出短路或过载。检查连接在J6/J7上的负载是否短路。液晶镜片本质是一个电容，在切换瞬间会产生很大的浪涌电流，如果BST_OUT的电容储能不足或走线阻抗太大，会导致电压瞬间跌落。可以尝试在BST_OUT引脚就近增加一个高质量的低ESR陶瓷电容（如10µF）。
• 可能原因4：控制时序问题。确保输入到同一桥臂（如HBL1和HBL2）的两个信号是严格互补且带有死区的。如果出现同时为高电平的瞬间，可能会导致芯片内部的直通保护电路动作，关闭输出。

6.5 充电电流异常或充电指示灯不亮

• 可能原因1：CHG_EN设置错误。确认JP3跳线在ON位置（2-3短接）。
• 可能原因2：电池电压高于或接近输入电压。Power Path管理会优先使用外部VIN供电。如果BAT电压高于VIN，或者两者接近，充电器可能不会启动。
• 可能原因3：ISET电阻问题。检查R4（681Ω）电阻值是否正确。这个电阻决定了最大充电电流。
• 可能原因4：温度保护。如果连接了外部NTC（通过J12），并且热敏电阻指示温度超出范围，充电会被暂停。

排查技巧：养成“分模块隔离”的调试习惯。如果系统工作不正常，先断开所有非必要部分。例如，先只测试VIN供电下的LDO和Boost（不接BAT，不使能H桥）。待这部分正常后，再接入BAT测试充电。最后再使能H桥并加载。示波器是你的最佳伙伴，不要只依赖万用表。多通道同时观测关键点的电压和电流波形，能帮你快速定位问题是出在控制逻辑、功率级还是反馈环路上。