简介
在微波、毫米波宽带射频系统中，能同时覆盖直流至 22GHz、兼顾大功率与高线性的放大器件长期是工程设计难点。而HMC998A这款款基于GaAs pHEMT 工艺的分布式 MMIC 功率放大裸片，凭借超宽工作带宽、集成 50Ω 阻抗匹配、2 瓦级输出功率与优异线性指标，成为测试测量、商用雷达、基站通信等高端设备的核心放大单元。
它采用成熟砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）单片微波集成电路架构，区别于传统窄带匹配功放，它选用分布式放大拓扑，从根源上突破常规晶体管的频率带宽限制，实现从直流到 22GHz 无断点连续工作，覆盖低频基带、L/S/C/X/Ku 全主流微波频段，甚至延伸至 22GHz K 波段。
全频典型小信号增益 14.5dB，增益曲线呈轻微正斜率，天然补偿射频传输线、无源器件随频率升高产生的损耗，简化整机增益均衡设计。温度、供电、静态电流均可调节增益：-55℃低温增益最高，+85℃高温增益小幅衰减；漏压 11V 至 15V 区间，电压越高增益越大；静态电流 350mA 至 500mA 范围内，500mA 满偏置增益达到最优。
总之，HMC998A凭借超宽连续带宽、2 瓦输出功率、高线性度与易集成的突出优势，是高端宽带射频链路标准化放大核心，兼顾性能与集成便利性，适配各类宽频专业射频系统。

电气特性
工作频率覆盖 DC~22GHz，典型小信号增益 14.5dB。
片内集成 50Ω 输入输出匹配，输入回波损耗 14~18dB，输出回波损耗 13~17dB。
2~18GHz 典型 1dB 压缩输出功率 32.5dBm，饱和输出功率 33.5dBm（约 2W）。
2~18GHz 输出三阶截点 IP3 典型 43dBm，噪声系数典型 2.5dB。
标准供电 VDD=+15V，静态工作电流 Idd=500mA。
反向隔离低频可达 - 70dB，22GHz 约 - 30dB，端口隔离性能优良。
饱和状态功率附加效率 PAE 范围 20%~26%，低温下效率更高。
电气极限：最大漏压 16V，最大射频输入 27dBm，输出负载最大驻波比 7:1。

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