目录

1.三维闪存

2.DDR3信号定义

3.DDR3的信号有效电平

4.异步时序

异步写数据时序图

数据的采样

异步读数据时序图

5.同步时序

同步写数据时序图

同步读数据时序图

6.区分DDR和SDR和QDR

1.三维闪存

背景：为了在芯片里封装更多的存储单元，就需要把存储单元做小，随着半导体技术的提升，Cell的尺寸不断减小，但是这样会导致隧道氧化层页随着变薄，这样阈值电压会发生变化，最终造成隧道氧化层损坏，就不能够很好的存储数据了。数据上的体现是Cell之间的相互干扰程度却不断增大；二维Flash遇到了技术上的瓶颈，这是人们发明了三维闪存，到了三维闪存之后，就不需要通过缩小Mos管来增加Cell数量了，所以单元间的相互干扰就大幅度减小。

类型：

3DVG(vertical gate垂直栅极) 沟道堆叠

3DVC(vertical channel垂直沟道)栅极堆叠

ONFI2.3协议(Open NAND Flash interface,开放闪存接口协议)是由多家厂商联合制定的NAND闪存接口标准，统一了NAND的硬件接口时序和命令集，能让主控兼容多种闪存。其中包括了两种硬件的接口模式，异步时序和同步时序模式。

2.DDR3信号定义

此处的Input和Output是对flash闪存而言的

ALE:对闪存的输入，地址锁存使能，DQx总线上的数据会被当做地址锁存到NAND的地址寄存器中

CE:片选使能，低电平有效，用于选取Flash中的一个Die

CLE：命令锁存使能，信号有效时，DQx上的数据会被当作命令锁存到NAND的命令寄存器中

DQx：半双工总线，传输命令，地址，数据

DQS，DQS_t：同步信号，在同步读写中，NAND都以DQS的边沿位基准来采样/发送数据

DQS_C:是DQS的互补差分信号，可以理解位差分DQS的负极，二者电平完全相反

RE，RE_t：读使能，负责将数据从NAND Flash中的串行数据传输到主机

RE_C：RE的差分互补信号

WE:写使能信号，负责将主机的数据写入到NAND的Cache中

WP：写保护信号，低电平有效，有效时整个闪存阵列的编程和擦除操作完全被禁止。

Vcc:给闪存的核心逻辑电路通电

Vccq:给闪存的IO接口供电

Vpp：可选外部高压电源，主要用于编程和擦除操作。

Vss：闪存所有电路的核心gnd

VssQ：IO接口的核心gnd

ZQ：DDR接口输出阻抗校准的专用引脚

NC：无连接引脚

DNU：禁止使用的引脚，必须严格悬空

RFu：给未来设计的保留引脚，严格悬空