半导体晶圆制造级别零部件
一、先进晶体管与存储结构扩展
1.1 纳米片/GAA晶体管详细结构
结构层级 | 组件名称 | 尺寸规格 | 材料构成 | 制造工艺 | 3nm工艺参数 | 功能描述 | 数量/芯片 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
纳米片堆栈 | 硅/锗硅叠层 | 厚度5-8nm/层 | Si/SiGe超晶格 | 外延生长 | 堆叠3-5层 | 多沟道结构 | 300-600亿个堆栈 |
牺牲层 | SiGe层 | 厚度10-15nm | Si₀.₇Ge₀.₃ | 选择性外延 | Ge含量30% |
【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第三十一篇 半导体晶圆制造01
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