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DRAM学习

DRAM学习

文章目录

  • 前言
  • 1、RAM分类
  • 2、SDRAM工作流程
    • 2.1 工作流程
    • 2.2 预充电
    • 2.3 自刷新
  • 3、SDRAM指令集
    • 3.1 模式寄存器控制信号及时序
    • 3.2 写指令控制信号及时序
    • 3.3 读指令控制信号及时序
    • 3.4 读事例解读
    • 3.5 写事例解读
  • 二、DDR3信号
  • 总结

前言

DRAM中,SDRAM以及DDR3学习


1、RAM分类

SRAM:只要持续通电,数据就永久保存,不需要刷新,靠电路稳态存 0/1,断电数据丢失。
DRAM:用电容充放电代表 0/1,电容会漏电,必须周期性刷新,不刷新数据会丢失,断电同样丢失数据。

2、SDRAM工作流程

2.1 工作流程

上电初始化静默200usbank预充电8个自刷新模式寄存器设置
正常工作行激活列激活突发读/写预充电

2.2 预充电

在读写操作后,电容电荷会缓慢减少,因此每次读写操作后执行自动充电,称为预充电。

2.3 自刷新

那如果长时间不写/读呢,电容电荷也会缓慢减少,所以会有一个定时刷新的操作,称为自刷新。

3、SDRAM指令集

各种指令都是通过如下引脚配合完成

3.1 模式寄存器控制信号及时序

3.2 写指令控制信号及时序

3.3 读指令控制信号及时序

3.4 读事例解读

3.5 写事例解读

二、DDR3信号

本次使用的是镁光MT41J256M16HA-093型号,MT41J系列,容量为256×16(数据宽度) = 4096Mb,速度等级为093。
由于速度等级为093,故核心时钟(mig核给ddrt提供的时钟)为1066M,数据速率为2132M,用这个的好处是可以降频使用,只要不超上限即可。

核时钟根据速度等级计算,用户时钟为核时钟的1/4,由于训练链路用了Idelay,故有个参考时钟。


总结

根据SDR了解DDR的mig核控制

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