三亩地 三亩地SAN MU DI · CODE DIARY
ARTICLE DETAIL

日记详情

真实记录编程学习的某一天,欢迎挑你感兴趣的翻一翻。

JSM4826 是一款60V 双通道独立 N 沟道增强型功率 MOSFET

JSM4826 是一款60V 双通道独立 N 沟道增强型功率 MOSFET

在消费电子、便携设备电源管理赛道,双通道 SOP-8 MOS 管一直是硬件工程师常备核心器件。过往行业普遍选用 AO4826 作为笔记本、锂电池设备的负载开关、DC-DC 转换核心,然而海外物料交期波动、成本上浮、供货不稳定等问题,长期困扰电子研发与采购团队。

为解决行业国产化替代刚需,深圳市杰盛微半导体(JSMSEMI)基于自主高密度沟槽工艺,推出全新双通道功率 MOS 器件 ——JSM4826。该型号实现与 AO4826 全参数、全封装、全引脚兼容,做到零改板、无缝替换,兼顾更低导通损耗、更宽温稳定工作、环保合规等多重优势,是低压电池供电电路、便携数码电源方案的国产平替最优解。

本文将从产品工艺、核心电气参数、引脚与封装、性能曲线、应用场景、国产替代优势六大维度,全面拆解杰盛微 JSM4826,为硬件选型提供完整参考。

一、杰盛微 JSM4826 产品基础定位与核心工艺

JSM4826 是一款60V 双通道独立 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用杰盛微自研高单元密度先进沟槽半导体工艺制造,工艺核心优化目标为极致降低导通电阻 RDS (ON),在中小电流开关场景实现更低发热、更高电能转换效率。

器件采用标准 SOP-8 贴片封装,单颗芯片集成两路完全独立的 N 沟道 MOS 管,每一组 MOS 内部集成寄生续流体二极管,两路通道电气互不干扰,工程师可单路独立使用,也可两路并联扩容电流负载,设计灵活性拉满。

产品研发精准对标 AO4826 原始规格书,引脚定义、极限电气参数、开关特性、PCB 封装焊盘尺寸 1:1 对齐,现有使用 AO4826 的量产项目无需调整原理图、PCB 版图,直接替换物料即可投产,大幅节省改板、重新验证的时间与研发成本。

同时 JSM4826 全流程生产符合 RoHS 环保标准,无铅无有害重金属,适配出口类数码、锂电设备的环保认证要求,满足海内外市场准入规范。

核心产品亮点前置

  1. Pin to pin 完全对标 AO4826,零改板无缝国产替代;

  2. 60V 耐压、8A 连续漏极电流,低压大电流承载能力突出;

  3. 超低导通电阻:VGS=10V 典型 24mΩ,VGS=4.5V 典型 32mΩ;

  4. 双通道独立 MOS 集成,单颗器件替代两颗单通道 MOS,节省 PCB 空间;

  5. -55℃~150℃超宽温工作区间,高低温工况性能稳定;

  6. 内置体二极管,可直接作为续流回路使用,简化外围电路;

  7. 国产原厂稳定供货,交期可控,批量采购成本优势显著。

二、引脚定义与内部等效电路,和 AO4826 完全一致

1. SOP-8 顶视引脚排布(丝印圆点为定位标记)

左侧引脚从上至下:S2、G2、S1、G1 右侧引脚从上至下:D2、D2、D1、D1

  • 通道 1:栅极 G1、源极 S1、漏极 D1(右侧 D1 引脚并联引出,降低线路阻抗)

  • 通道 2:栅极 G2、源极 S2、漏极 D2(右侧 D2 引脚并联引出)

两路 MOS 物理隔离,无内部电气连接,互不串扰,适合双路独立负载开关、同步降压上下桥驱动等电路设计。

2. 内部等效结构

每一路 N 沟道 MOS 源极、漏极之间反向并联寄生体二极管,在开关电源、电机驱动感性负载电路中,可省去额外续流二极管,精简 BOM 清单,压缩整机物料成本。封装引脚排布、内部管芯布局与 AO4826 完全匹配,焊接、散热性能无差异。

三、极限电气参数对照表,JSM4826 对标 AO4826 规格无缩水

绝对最大额定值(环境温度 TA=25℃,超过限值将永久损坏器件)

参数

符号

JSM4826(对标 AO4826)

单位

使用说明

漏源击穿耐压

VDS

60

V

单管最高耐受电压,60V 适配 12/24V 锂电设备

栅源驱动电压

VGS

±20

V

栅极安全驱动区间,兼容 3.3V/5V 逻辑驱动

25℃连续漏极电流

ID

8.0

A

常温单通道持续负载能力

70℃连续漏极电流

ID

5.0

A

高温环境降额使用标准

脉冲峰值漏极电流

IDM

40

A

脉冲宽度≤300μs,应对开机冲击电流

25℃单管功耗

PD

2

W

常温散热良好工况功率上限

70℃单管功耗

PD

1.28

W

密闭设备高温降额参考

结温 / 存储温度

TJ、TSTG

-55 ~ +150

工业级宽温,户外、密闭设备适配

关键直流电气特性(25℃标准测试环境)

  1. 导通电阻 RDS (ON)(核心能效指标)

  • VGS=10V、ID=8A:典型值 24mΩ,大电流下损耗极低;

  • VGS=4.5V、ID=5A:典型值 32mΩ,最大值 45mΩ; 低压驱动场景下导通阻抗控制优异,适配单片机 3.3V/5V 驱动电路,无需额外栅极升压电路。

  1. 漏源击穿电压 V (BR) DSS:VGS=0V、ID=250μA 时最小值 60V,耐压余量充足,避免电压尖峰击穿;

  2. 栅极阈值电压 VGS (th):1.0V~3.0V,低开启电压,微弱控制信号即可导通 MOS,降低待机功耗;

  3. 栅极电荷、输入 / 输出 / 反向传输电容参数与 AO4826 对齐,开关速度、高频损耗表现一致,原有驱动电路无需修改;

  4. 开关上升 / 下降时间控制在纳秒级,适配百 kHz 高频 DC-DC 转换电路,开关损耗可控。

四、全维度特性曲线解析,高低温工况性能稳定

杰盛微 JSM4826 沿用成熟沟槽工艺,各项电气随工况变化曲线与 AO4826 高度重合,硬件工程师可沿用原有调试参数,无需重新做温度、负载可靠性验证:

  1. 输出特性(ID-VDS 曲线)栅极驱动电压 VGS 越高,同等 VDS 下可承载电流越大;VGS≥6V 后导通性能大幅提升,VGS=2V 仅小电流导通,完美适配高低两种驱动电压方案。

  2. 转移特性(ID-VGS 曲线)结温越高,同等栅压下导通电流越大;低温 - 55℃环境电流小幅下降,设计时预留电流余量即可稳定工作,适合低温户外便携设备。

  3. 极间电容特性输入电容 Ciss 数值最高,随 VDS 升高轻微衰减;Coss、Crss 随漏源电压提升快速降低,高频开关下米勒效应弱,不易出现波形畸变、发热超标问题。

  4. 导通电阻温度特性器件结温上升,归一化 RDS (ON) 线性缓慢上涨,温升带来的损耗增量可控,密闭笔记本、充电仓等狭小空间散热设计可沿用原有方案。

  5. 阈值电压温漂特性温度升高,栅极开启电压小幅下降,高温环境不易出现导通不完全、压降过大故障;低温阈值抬升,不会出现误导通漏电问题。

  6. 体二极管正向伏安特性内置寄生二极管正向导通压降曲线标准,可独立承担续流功能,降低外围器件数量。

五、SOP-8 封装机械尺寸与标准 PCB 焊盘,兼容原有生产工艺

1. 封装尺寸规范

JSM4826 采用通用 SOP-8 贴片封装,提供毫米、英寸双单位公差尺寸,包含塑封长宽、引脚厚度、引脚间距、贴装基准平面公差、引脚折弯角度 0°~8°,完全匹配现有 SMT 贴片产线,无需调整钢网、吸嘴、回流焊温度曲线。塑封贴合平面公差小于 4 密耳,贴片不易虚焊、偏移,量产良率稳定。

2. 推荐 PCB 焊盘版图(单位 mm)

标准 SOP8 通用焊盘设计,引脚中心间距 1.27mm,上下两组焊盘总高度 5.74mm,横向焊盘宽度 0.635mm,单边焊盘延伸余量 0.8mm。所有尺寸与 AO4826 封装规格统一,旧项目 PCB 无需改版,直接贴片生产,大幅缩短国产化替换周期。

六、杰盛微 JSM4826 主流应用场景,覆盖 AO4826 全部使用领域

基于 60V 耐压、双通道集成、低导通电阻、宽温稳定四大核心优势,JSM4826 可全面承接 AO4826 原有所有设计场景,核心应用分为四大板块:

1. 笔记本电脑电源管理

笔记本多路电压转换、电池充放电开关、主板负载控制、背光驱动电路,双通道 MOS 可分别负责高低侧同步整流,单颗器件替代两颗单通道 MOS,缩小电源板面积。

2. 锂电池便携设备

12V/24V 充电宝、电动工具电池保护板、智能穿戴充电仓、便携扫描仪、手持检测仪双路电源开关,低 RDS (ON) 减少电池放电发热,延长续航时长。

3. 中小功率 DC-DC 开关电源

升降压转换模块、USB 多路快充负载开关、小家电供电模块,高频开关特性优异,转换效率可达 92% 以上,降低整机温升。

4. 小型电机驱动与 LED 背光控制

小型风扇、微型水泵直流电机换向控制,多通道 LED 灯条分压开关,内置体二极管吸收电机反向电动势,省去外围续流二极管,简化电路。

← 返回列表